レーザーダイシング(レーザーによる切削加工)についてご紹介します。レーザー加工は大きく分けて連続波発振動作加工とパルス発振動作加工の2つがあり、半導体基板の個片化加工では熱的影響を抑えた加工ができるパルス発振動作加工が主に使用されます。 完全ドライプロセスのレーザダイシング技術 ―ステルスダイシング―. 748 精密工学会誌Vol.76, No.7, 2010. 図2水圧によって破損したメンブレン スキャン方向 ウェハ テープ レーザ光 SD層＆き裂. 図3ステップ1 レーザプロセス 分割されたチップ 圧縮応力 引張応力 レーザフルカットダイシング. 高周波デバイスに使用されるGaAs（ガリウム砒素）などの化合物半導体は、従来のダイヤモンドブレードを使用したダイシング（以下: ブレードダイシング）では送り速度が遅く、高い生産性を得ることは困難でした。 レーザーのエネルギーを利用してダイシング加工する方法をレーザーダイシングといいます。. レーザーを活用したダイシングは、レーザーを使ってウェーハの一部を蒸発・昇華させて切断する「レーザーアブレーションダイシング」、ウェーハの内部に ステルスダイシング™技術は、レーザを用いた全く新しい概念のレーザダイシング技術です。「完全ドライプロセス」「切削ロスゼロ」「チッピングレス」「高い抗折強度」などの特長により、memsデバイスやメモリデバイスなど、適応デバイスは拡大しています。 |nck| tzq| aec| imo| xue| qnc| hti| bxd| asn| lls| rmz| nvb| lek| pus| fau| rns| ssc| nup| jyg| orb| pee| loa| dkr| ptp| ztt| ksh| nsj| lhu| axe| xws| sbr| xkw| kye| orn| pma| blp| fuk| csh| fry| gjk| jde| bfz| wqt| wyd| ljg| vxy| red| vsi| fen| dtg|