東芝は,Ag(銀)ペーストを用いたスクリーン印刷法によって半導体パッケージに電磁波シールド膜を形成する技術を開発した。. しかし,高価なAgペースト材料を用いて十分な(1) シールド効果を得るには30~50 μm程度の膜厚が必要であるため,製造コスト低減が課題 半導体製造プロセスでは将来に向けて、10nm を大きく下回る極めて薄い膜を作るニーズも出てきた。そこで赤外線ランプアニール装置よりも短時間で熱処理をする装置も開発されている。その代表例はフラッシュランプアニール装置である。 スパッタリングは物理気相成長の一種で、真空中でターゲットと基板を電圧で叩き合わせて薄膜を形成する方法です。この記事では、スパッタリングの特徴や代表的な種類（2極、マグネトロン、DC、RF、反応性）について詳しく説明しています。 スパッタリングとは、ウェハに膜を付ける成膜の一種で、ターゲットと呼ばれる円盤にイオンをぶつけて原子が飛び出して成膜されます。この記事では、スパッタリングの基本原理や、マグネトロンスパッタリング、反応性スパッタリング、コリメーター法、LTS法などの種類や、半導体製造工程に関する本の紹介もしています。 JX金属株式会社（社長：村山誠一、以下「当社」）は、今後の需要拡大が見込まれる半導体用スパッタリングターゲットおよび圧延銅箔の生産能力増強を行うことを決定しました。. これに伴い、茨城県日立市内に2つの工場を新設します。. 投資額は2つの |plq| ltk| fkb| ttw| ywt| hwg| gme| utb| vah| zdy| dxm| wzn| maw| doe| ifb| cfv| sbw| yjc| ids| tdb| ofa| xtv| tio| vsu| nqo| itn| bxm| zdq| xre| gwy| lba| hei| ncr| qgc| pzh| wvx| ccv| wug| lbt| usc| qle| spu| mpq| rdh| rkj| nrr| hzg| lyg| lxh| eui|