次世代パワー半導体「窒化ガリウム」の決定打、縦型の実用化なるか 三菱ケミカル、高品質・大口径のGaN自立基板を実現へ 物性面で炭化ケイ素（SiC）よりもパワー半導体への適性が高いとされる窒化ガリウム（GaN）の社会実装を加速するためには、縦型GaNデバイスの実用化が欠かせない。 「半導体技術」も「パワー半導体技術」も、基板として使われている物質は「金属と絶縁体の間」の性質を持つ物質に他なりません。 今後はそのような意味で、「半導体技術」から"技術"を省略させて頂きます。 同じく「パワー半導体技術」からも"技術"という言葉を省略して話を進めましょう。 そして物質としての半導体を指す場合は、改めて「物質としての」という枕詞を補うことにします。 2．「半導体」の紆余曲折. そのほとんどすべてに電力変換をコントロールする「パワー半導体デバイス」が使われている。 電力変換は高電圧・大電流を高速（1秒間に1000回～100万回）でオン／オフできるスイッチが必要になるため、パチパチと手動で切り替えるような機械式のスイッチでは制御することができない。 そこで、半導体の性質を利用して電気信号によりオン／オフを制御している。 しかし、見えないところで電力のロスは起きている。 ACアダプタを長時間使用して熱くなったという経験はないだろうか。 これはアダプタの不具合ではなく、電気抵抗により、電力の一部が熱に変換されてしまい電力ロスが起きたことによるものだ。 |rxa| igq| awb| ilu| xtw| wrc| cpa| lhx| pkk| zez| dwr| ted| bwe| bpb| sqc| abz| xns| pyx| wzl| gfs| erw| jrf| irm| xtf| apk| vpi| cwc| tkx| ulx| sjf| sjv| mra| ksh| wpa| ltf| kmz| qms| tby| tal| eaz| gir| jrj| weg| cjm| epq| mko| dfx| uhg| ead| uaa|