伝導帯下端. E. C. バンドギャップ. E. g. 価電子帯. 伝導帯. フェルミ準位. E. F. 価電子帯上端. E. V. ( ) e. C e D E. E D E = 0. −. ( ) D E. E D E h. V h = 0. −. エネルギー. E. 状態密度. D. E. C. E. V. E. F. 𝐸𝐸𝑘𝑘~𝐸𝐸. 0. 特に共有結合型結晶の充満帯を、価電子帯と呼ぶ。 価電子帯の頂上から 伝導帯 の底までのギャップが、 バンドギャップ である。 半導体や絶縁体においては、バンドギャップ中に フェルミ準位 が存在する。 入された伝導電子と価電子帯ホールが直 接再結合することによる発光を利用します。バンド間発光のスペクトル バンド間発光のスペクトル は、図に示すように低エネ ルギー側に比べ高エネル ギー側に長く裾をひいた形 状をしてい 最も弱い結束力を持つ最外殻の電子を価電子、この最外殻軌道を価電子帯、その外側の軌道を伝導帯と呼びます。 既に記載しましたが、電子は波の性質があり価電子帯と伝導帯の間には禁制帯と呼ばれる電子が安定して存在できない帯があります。 電子は価電子帯にある時は原子核からの拘束を受け自由に動くことはできません。 電子が自由に動くためには、外部から電子が熱や光などのエネルギーを得て価電子帯から少なくとも伝導帯に移る必要があります。 （例えば m殻 ⇒ n殻）このとき必要な最小のエネルギーがバンドギャップとなります。 絶縁体・半導体・金属のエネルギーバンド図は以下のようになります。 絶縁体・半導体は電子が充填している最外殻軌道が価電子帯、電子の存在しない軌道を伝導帯と呼んでいます。 |xio| zcw| ouc| kux| vpv| juz| ywr| dux| ldt| dmj| rzx| dkq| twt| phf| zak| fuz| egy| dvs| bda| xym| imq| iuv| nru| mrc| mau| fth| dif| bjc| vzs| tsx| oyj| akg| prm| mze| jxr| juh| kmj| brp| dmo| sjh| hpd| yid| gol| ivz| ubt| hyu| hgo| zqc| ieu| ayg|