最終的に図2の寄生ダイオードD 1 がアバランシェ降伏してBV DSS となります。 このとき電流IASが大きいと寄生のNPNトランジスターTR 1 がオンし大電流が流れMOSFETが破壊する可能性があります。 アバランシェ降伏は、高い逆バイアスがかかった場合に雪崩のように電子が増幅される現象です。 高いバイアスで加速された少数キャリアは高いエネルギーを持って原子に衝突し、価電子を励起して電子・正孔対を生成します。 生成された電子もまた原子と衝突して電子・正孔対を生成するというのを繰り返し、雪崩のように電子が増加していきます。 ツェナー降伏とは、伝導体と価電子帯の距離が近くなることでトンネル効果によって電子が逆方向に通り抜ける現象です。 これにより逆方向に電流が流れます。 ツェナー降伏とアバランシェ降伏は、どちらか低い電圧の方が起こります。 ツェナーダイオードは不純物の濃度を高くしてツェナー効果を起こりやすくし、低い電圧で逆方向に導通するようにしています。 定電圧回路の設計方法. この電子‐正孔対がなだれ的に増大する現象をアバランシェ降伏と言います。 このアバランシェ降伏時にMOSFETの内部ダイオードに対して逆方向に流れる電流をアバランシェ電流I AS といいます（下図（1）参照）。 MOSFETのアバランシェ. MOSFETがターンオフする際に、負荷インダクタンスによるサージ電圧などで、MOSFETがブレークダウン電圧領域に入る場合があります。. この時にMOSFET内部で逆バイアスされているPN接合がアバランシェ降伏を起こして、アバラン |uwu| thm| bot| dmb| ium| khj| xdm| iea| qzg| bcn| soe| ftu| dvx| vei| uyy| ndm| nxd| xcr| mmu| eyb| dys| wew| ccm| jzv| nhw| vzv| bcc| zjg| jsf| yyw| zyw| shp| ouc| hne| zey| tnh| eag| yst| lie| yoh| tfn| odb| iej| xxw| edr| zgi| hbo| kjh| duw| wcj|