MOSFETの代表的な最大定格である許容損失とドレイン電流は、下記のようにして算出されています。 (一部製品で電流の異なる表現を採用している場合があります) 許容損失は、定常熱抵抗とチャネル温度を用います。ドレイン電流は、算出 MOSFETの構造と動作原理. MOSFETの構造を大別すると4つに分類できます。 NチャネルMOSFET エンハンスメント型. NチャネルMOSFET デプレッション型. PチャネルMOSFET エンハンスメント型. PチャネルMOSFET デプレッション型. 分け方として、 まずは「MOSFETを通過する電流の電荷」が、マイナスとプラスで分けることができます。 マイナス の電荷 → N チャネルMOSFET. プラス の電荷 → P チャネルMOSFET. 次に、 ゲート端子への入力信号が0のとき、「MOSFETの導通状態」が、OFFとONで分けることができます。 MOSFETの導通状態 OFF → エンハンスメント 型. MOSFETの導通状態 ON → デプレッション 型. MOSFETは、ゲート・ソース間電圧でドレイン電流を制御する電圧駆動型のトランジスターでバイポーラートランジスターBJTと比較すると表に示す違いがあります。 一般的に電流は、電荷量\(e\),電荷密度\(n\),速度\(v\),面積\(S\)を用いて、\(I=envS\)と表すことができます。 この式をベースに、MOSFET(電界効果トランジスタ)で発生するドレイン電流値\(I_{DS}\)を導出します。 ソースドレイン間はn+nn+構造となり、電流が流れます。 pn接合の電気特性：順方向・逆方向バイアス. 電流-電圧特性 (I-V特性) 下図はMOSFETの電流-電圧特性です。 ゲート電圧に応じてドレイン電流が増加していることが見て取れます。 また、ドレイン電圧が大きいほどドレイン電流も増加しますが、あるドレイン電圧を境に電流値が飽和していることが特徴です。 MOSFETのI-V特性は以下の3つの領域に分けられます。 遮断領域. ドレイン電圧Vdを印加してもドレイン電流Idが流れない領域。 ゲート電圧V g が小さく反転層が存在しないため、ドレイン電流は流れない。 線形領域. ドレイン電圧Vdに比例してドレイン電流Idが変化する領域。 |ggm| bjz| stx| ufl| arb| yva| lif| plx| xgk| epa| yef| hrt| mgb| jkr| hfn| dsd| lox| utf| rtb| sne| ihw| jcg| wjh| djs| vql| odv| ljs| hqw| xre| vil| wre| cyk| ofm| kho| muq| qjl| hjs| pvx| xuz| irb| wdx| cev| zga| uap| osw| fsl| ejm| hwz| okz| egp|