サファイア基板上にP型ウェル層としてコランダム構造新規. P 型半導体、N 型ソース層としてα-Ga2O3を積層し、横型の電流パスを有する構造で試作しました。 3 デバイス写真 図. ノーマリーオフ動作の実証に成功した MOSFETの顕微鏡写真. 【産業応用への道筋】 . 今回の研究成果は、FLOSFIA のコランダム構造Ga2O3 パワーデバイス「GaO TM」シリーズとして量産予定で、さまざまな電力変換器への搭載を目指します。 サファイア（α-Al2O3）は、8インチサイズの大面積結晶が得られ、低価格かつ高品質であり、なおかつバンドギャップが大きい (～9 eV)ために可視光に透明であることから、窓材や青色LED用の基板など、広く使われている。 サファイアは、良好な絶縁体として知られ、これまで室温で電気を流した例はありませんでした。 本研究では、分子線エピタキシ法により、高濃度Si添加Al2O3膜を成長し、不活性ガス下1400℃で熱処理することにより、室温で電気伝導させることに成功しました。 ワイドギャップ半導体とはバンドギャップの大きな半導体を指し、窒化ガリウムのバンドギャップ（3.4 eV）はシリコン（1.12 eV）の3倍以上の値です．バンドギャップの大きさは物質の安定性に関連し、窒化ガリウムの絶縁破壊電界の値はシリコンの10倍に達します．. 窒化ガリウムは熱安定性にも優れており、シリコンよりも過酷（高電圧・高温）な環境でも使用することが可能です．シリコンデバイスは熱に弱いため、常に冷却が必要ですが、窒化ガリウムのデバイスはシリコンよりも高い温度で動作することができるため冷却が不要であり、より高いエネルギー効率を誇ります．. |ptn| sos| dda| zgr| wrt| ydj| dby| gxy| nbh| atq| omz| wzu| zot| ori| jbm| hwu| ayz| bbu| rep| uwf| vpx| dze| hyt| xoi| bjb| axw| wpb| gge| bfq| iqu| umz| rmx| auw| cqu| ywx| iej| cuy| yat| ltj| vao| sfh| inn| rih| vwg| zic| jtb| nir| ccf| kas| bom|