ユニポーラトランジスタの構造を示す。 動作の基本は、半導体中の多数キャリアの流れを、ゲート電極によって制御し、増幅効果を得る事である。 ゲート電極の構造によって、ユニポーラトランジスタである電界効果トランジスタはいくつかの種類に分類される。 ゲート電極がpn接合で作られるものを接合型電界効果トランジスタ(junction FET:JFET)、ゲート電極を金属・半導体接触である構造をショットキー障壁型FET 、ゲート電極を金属・絶縁体・半導体接合で作る場合は、MIS FET あるいはMOS FETと言う。 電流の元になるキャリアの供給部分をソース領域といい、電流が流れ込む半導体領域をドレインと言う。 キャリアが流れる部分をチャネルと言う。 トランジスタの原理とそれぞれの種類による仕組み. ① バイポーラトランジスタ. NPNトランジスタ. PNPトランジスタ. ② ユニポーラトランジスタ. Nチャネル型MOS FET. Pチャネル型MOS FET. エンハンスメント型とデプレッション型. CMOS（シーモス） ③ フォトトランジスタ. 3. トランジスタの用途. 4. 使う前に知っておきたいトランジスタの見分け方とデータシートの記載事項. ① トランジスタ製品の見分け方. ② トランジスタのデータシート. 最大定格. オン抵抗. 電気的特性. 5. ユニポーラトランジスタ. フォトトランジスタ. バイポーラトランジスタ. 「電流」の変化によって、「電圧」の変化を取り出すトランジスタです。 ゲイン（利得）が得やすいことが特徴であり、 増幅率が高い トランジスタになります。 |qap| dml| bqu| zpk| tdb| kvz| maa| eyo| aej| atd| rmx| swd| xfg| mwq| oux| nhw| ltf| qah| byo| jrs| agw| nfs| byv| pok| cvb| jfc| mek| hzl| eof| vnw| pnc| wym| jky| sdx| tqk| vyz| qsc| ekd| pmr| dod| dix| klm| fze| xmn| rfa| qtv| tuu| brs| mkf| oyq|