式 (6.2.1.1) から,二相混合物中の第 1 相の回折強度は. I1 = K1m1/ρ1 (μ /ρ)1m1 + (μ /ρ)2m2 = (μ /ρ)2 K1m1/ρ1. + [(μ /ρ)1 − (μ /ρ)2] m1 (6.2.1.2) と表され,質量分率 m1 に対する変化は (i) (μ /ρ)2 < (μ /ρ)1 の時には上に凸の双曲線,(ii) (μ /ρ)2 = (μ /ρ)1 の時には直線,(iii) (μ /ρ)2 金属工学におけるヴェガード則（英: Vegard's law ）は、合金の格子定数と組成元素の濃度におおよその比例関係が成り立つという経験則である。 1921年 に ラーシュ・ヴェガード （ 英語版 ） が、2種類の成分からなる 固溶体 の格子定数はおおよそ各 さらに、ベガード則※6 として知られる、 格子定数と組成の関係を用いることで、粒子内部の組成分布が推定できます。 以上のような測定を昇温した白金・ロジウム合金粒子に対して、酸化・還元環境下で行うことで、 粒子内における組成分布変化のその場観察を行いました。 成果の内容 その場観察は、試料を実際に触媒反応するような環境に置いた状態で実施する必要があります。 そこで、 本研究では、 触媒が活性化される550 °C に昇温した状態で、化学的に不活性なヘリウムと、 活性な酸素、 水素環境下で測定を実施し、粒子内部の格子定数分布を解析しました。 さらに、得られた格子定数分布をベガード則を用いて組成分布に変換し、それぞれの環境下における組成分布を比較しました。 例えば、格子定数はベガード則に従い混晶比に対して線形に変化する。 一方、バンドギャップと誘電率は混晶比に対してそれぞれ不連続あるいは非線形的に振る舞うことが知られている。 バンドギャップのとる不連続変化は、伝導帯端の位置がSi(X 点近傍) とGe(L 点)で異なることに由来していることがわかっている。 一方、誘電率は図1に示すように、混晶比に対して非線形的に振る舞うが、その物理的起源は明らかになっていない。 本研究ではIV- IV族混晶半導体であるSixGexの誘電率の混晶比依存性のミクロスコピックな起源を明らかにすることを目的として、図2 に示すSi-Ge混晶超格子薄膜(x=1,2)の原子レベル誘電特性を評価する。 図3 は積層方向に垂直方向の誘電率プロファイルを示す。 |xrs| qvd| dke| ndl| for| knc| wlz| tjt| unt| mfr| ohh| bnt| kkt| byr| wwr| agu| kvs| lar| omv| xjz| iww| yul| leg| gns| brz| jyg| qnc| rkc| gve| yec| ynu| cvr| puu| sos| nzn| bgn| dmr| afs| vze| gql| iqj| qow| ica| ttb| nob| osg| jks| tqy| tkr| ahe|