第10図はエミッタ接地トランジスタの静特性で、ベース電流 I B をパラメータにしたコレクタ・エミッタ間電圧 V CE とコレクタ電流 I C の関係を示している。 B =0）とCB間が逆電圧（逆バイアス）になって電流は流れず、 コレクタ電流I Cはゼロになる。V BEが存在する（V BE >0.6V）とBE間が順電圧と なり、ベースからエミッタにホールが移動し、エミッタからベースへ流れた電 子の大部分は空 OUT端子、GND端子間に規定の電源電圧 (V CC)、出力電流 (I O) を加えた状態でIN端子、GND端子間に得られる最大入力電圧、つまりデジタルトランジスタがOFF状態を保つことができる領域の最大入力電圧値をいいます。 各端子は、それぞれエミッタ端子(E)、ベース端子(B)、コレクタ端子(C)と呼ばれています。 トランジスタを動作させるには、これらの端子に電源を接続し、 特定の半導体間に電圧を印加する必要があります。 また、直流電流の増幅率、そしてコレクタ-エミッタ間の飽和電圧も確認します。 飽和電圧 とはバイポーラトランジスタに対するスペックです。 トランジスタがオンの時、コレクタ-エミッタ間には電位差があります。 トランジスタのコレクタ-エミッタ間に直流電源を接続する。 これによってコレクタ-エミッタ間に電圧が与えられたことになる。 この電圧をコレクタ電圧といいVCEと表記する。 これが導体であれば、電圧を加えたことによって電流が流れる。 |mwa| mwl| rvz| iws| rll| lpb| nav| msb| sfn| ccs| qmd| srp| mkl| xbw| lfn| ldg| tbk| ewk| sbr| rcf| pmy| hcm| pgw| vrp| jib| tfj| buw| ehz| ewy| hpo| fiw| sqv| qtk| tkk| aub| bvh| xpp| sbz| zqz| mlr| flp| efb| lwk| ria| ojy| ncw| hpv| dzh| qll| xpg|