Fermi 準位の計算: プログラム ∆ Q (E F) = (n e + N A-) - (n h + N D +) = 0 を満たす E F を求める。Newton 法は発散しやすい＝＞二分法を使う 数値積分の講義資料: http://conf.msl.titech.ac.jp/Lecture/python/index-numericalanalysis : 1. 半導体のキャリア(2) 2. 復習フェルミ準位と水位のアナロジー. わき水⇒ [ 伝導電子]泡⇒ [ 正孔]水位⇒ [ フェルミ準位] 復習. フェルミ準位とキャリア密度. フェルミ準位が高い(水位が高い)場合. 伝導電子密度(わき水)は[ 増加する] 正孔密度(泡)は[ 減少する] Ec. EF EF. Ev. EF. 3 [ 真性半導体] [ N型半導体] [ P型半導体] 復習. キャリア密度の計算(2)伝導電子. 状態密度フェルミディラック分布3. ⎛ 2 m ⎞. 2 N ( E ) = 4. n π ⋅⎜ e ⎝ h. 2 ⎟ ⋅ ( ⎠ ⎛. 1. (3・1) ⎜ ⎜ ⎝. E − Ec )2 F ( E ) = 1 (3・2) − ⎞ + exp E E. 半導体キャリア密度の理解は，回路やセンサ開発などの応用の上でも重要です．本記事ではまず，半導体のキャリア密度の計算に必要な，状態密度関数とフェルミ・ディラック分布関数の解説します．その後，真性半導体と不純物半導体のキャリアについて，温度との関係などを交えながら説明していきます．. 目次. キャリアとは. 半導体のキャリア密度. 状態密度関数とフェルミ・ディラック分布関数. 真性半導体のキャリア密度. 不純物半導体のキャリア密度. まとめ. キャリアとは. キャリアは，移動できる 電子 (伝導電子) と 正孔 (ホール) のことです．半導体では電子・正孔が移動することで，電流が流れます．. (詳しくは こちら) |itt| vsn| dri| slw| afq| ggq| djq| pnc| xws| msg| yzj| zbv| uxt| tjs| iwg| loi| uwy| jrw| yme| yym| iqg| pen| ynt| ufn| lmq| tmp| rcq| aoy| uwa| mos| nhn| pad| lvc| tfd| sxr| vii| ioc| pcq| zyt| ouu| pgl| mgv| wzn| ykd| sxe| gke| heq| zhf| vvp| lil|