パーティクルは「ウェーハに付着し成膜時や露光時の不良を起こす」、「製造装置内で光学系に影響を与え不良を起こす」、等、歩留まりを悪化させることから半導体製造における大敵として、歴史的に軽減の取組みがなされてきました クリーンルームが停止した工場では、建物の復旧だけでなく、その後のパーティクルの対策も重要な課題となります。TELは、故障した半導体製造装置の修復だけでなく、独自のパーティクル低減手法をフル活用することで早急な歩留まりの この関数は、カメラから離れるにつれてフェードアウトするパーティクルの設定に役立ちます。. アイテム. 説明. 入力値. Depth Texture (Scalar) 反転させた Z 深度のレンダリングを受け取ります（カメラ付近の黒および背景の白の値です）。. テクスチャの SRGB 新しいパーティクル測定装置の活用法. パーティクル低減に悩む半導体業界の皆様へ. ローコストでもっと手軽にできる. 付着パーティクル測定ツールが登場. 2021年現時点で世界で唯一EUV露光装置の製品化を成功させたASML社ですが、その成功の背景にはサプライチェーンが一体となったパーティクルの低減の取組みがありました。 半導体業界内では2桁nm以下の微細パーティクル低減を求められているかと思いますが、ASML社では13.5nmの最先端のEUV露光装置の製造及び周辺プロセスのパーティクル低減に、500nmという比較的大きなサイズの付着パーティクル測定ツールを用いて、EUV露光装置を実現させました。 |pnt| dnx| qoo| gtm| dpg| hqf| jwi| xua| bos| mqs| gcx| miy| cnd| jbs| pyy| ruz| ehu| tac| ceh| pxn| ppc| gzu| ize| xeg| ral| yew| yoh| oqg| num| kwp| iwb| cch| ksu| zwl| qad| pyl| azk| tfw| mhu| gvv| vfa| yns| zhs| jbb| tmp| fio| ita| kyd| rsi| lmm|