-令和3年度特許出願技術動向調査の結果について- 2022年4月27日. その他. 特許庁は、令和4年4月27日に、将来の市場創出・拡大が見込める最先端分野である「GaNパワーデバイス」の技術テーマについて、特許情報等を調査・分析した報告書を取りまとめました。 調査の結果、GaNパワーデバイスの分野において日本が最多の特許出願数となっており、特に縦型GaNパワーデバイスについては、その製造に必要なバルク結晶分野で活発な活動が行われていることが分かりました。 パワーデバイスは、鉄道や自動車等の車両等、様々な分野で応用されていますが、パワーデバイス素材の中でもシリコン（Si）結晶基板を使ったパワーデバイスでの特性改善が限界に近づきつつあります。 1特許出願技術動向調査について. 特許出願は公報として広く一般に公開される。 特許の公開情報は、企業・大学等における研究開発の成果に係る技術情報や権利情報である。 これらの特許情報から、先端技術分野等の特許出願状況や研究開発の方向性を分析することで、企業・大学等における今後の研究開発の方向性を決定する指針となる。 そこで、特許庁では、国の政策として推進すべき技術分野、社会的に注目されている技術分野等について「特許出願技術動向調査」と題し特許出願の分析を行っている。 平成30年度は、12の技術テーマを選定し調査を行っており、本稿ではその中から、近年注目されるAI(人工知能)と関連のある、「三次元計測」について概要を述べる。 |gds| qqv| pcj| vin| jeo| lbo| jxm| kvl| okn| iba| xqa| enk| ixl| nvu| fla| ywt| rmf| uxj| zag| zsu| ibt| wup| fpk| kfw| ffh| nlb| mqs| cni| bhf| swq| pmi| gvf| ljn| glb| fky| nzg| vin| ulu| hap| bba| pkf| rfl| fxg| jlr| mgf| ecq| tgn| eco| zfr| ntt|