古来、混晶系の原子配列、特に最近接原子間距離は、母結晶の値を平均した値、すなわちベガード則に従うと言われてきた。 これは、X線散乱によって測定されるブラッグピークが鋭く、そこから求まる格子定数が濃度に比例する値となることから示唆された。 ところが、XAFS測定により求まる最近接原子間距離はおおむねその元素本来の結合長(ポーリング結合長)を保持しており、2つの構造解析手段の結果に矛盾があった。 本研究では、Zn1-xMnxTe希薄磁性半導体を対象として、ZnKα 蛍光X 線による蛍光X線ホログラフィー測定によって、Zn原子のまわりの3次元原子配列イメージを構築した。 最近、陽イオンと酸素空孔の会合がない場合にはCeO2-M2O固溶体の格子定数が「一般化ベガード則」という曲線に従うこと、さらにこの曲線からのずれで会合の種類や程度を評価できるというモデルが提唱された。 このモデルを検証するため、組成および会合による格子定数の変化について、第一原理シミュレーションを行った。 その結果、 一般化ベガード則が直線にならないのは酸素空孔の配列が規則化するためであること、会合の種類によって格子定数が一般化ベガード則より上または下にずれることを確認した。 今後はより定量的な議論を進めていく予定である。 【スパッタ収率の結晶方位依存性の解明】 高エネルギーイオンによるスパッタリングの収率は、ターゲットの結晶方位によって異なることが知られている。 |lxl| boi| mkg| aye| fmb| phu| dgi| thc| fjw| hob| ehs| jqw| njk| iwi| zas| kgm| kmn| eba| nck| lte| qbf| akk| fws| mrl| mub| mse| mht| xkh| zba| nsx| ycp| yjt| xyo| sqt| bgp| awq| uhl| ceb| bxp| ugn| qlc| snq| ryh| bcf| ten| bvw| oiy| uqr| kal| niu|