結論 トランジスタのベース抵抗値 計算式. ベース抵抗Rbは以下の計算で決まります。. Rb = ( Vin - Vbe ) / Ib. ここで、. Vin：入力電圧. Vbe: ベース・エミッタ間飽和電圧. Ib：ベース電流 Ib = Ic / hfe. Ic：コレクタ電流. hfe：電流増幅率. NPN型トランジスタは、上側のN型半導体を コレクタ (C) 電極、中央のP型半導体を ベース (B) 電極、下側のN型半導体を エミッタ (E) 電極 といいます。 NPN型トランジスタの電池の接続方法. NPN型トランジスタのベース・エミッタ間には、図のように ベースに電池のプラス を エミッタには電池のマイナス を接続します。 また、コレクタ・エミッタ間には、 コレクタに電池のプラス を エミッタには電池のマイナス を接続します。 NPN型トランジスタの動作原理. S W B を閉じる. 次には、R1とR2の抵抗値の決定方法ですが、トランジスタがOnとなるとき、 ベース電流（Ib)＝負荷電流 (Ic)÷直流電流増幅率 (hfe) で決まる電流Ibよりやや大きい電流が流れるような抵抗とします。 この抵抗が無いと、ディジタルICに過大な電流が流れることになり、場合に よっては、ディジタルICが発熱で壊れることもあります。 例： 負荷電流が100mAとし、hfe=100とすれば、Ib=1mAとなる。 ICの電源を5Vとすると、Vbeは約0.6Vで一定ですから R1=R2= (5V-0.6V)÷1mA = 4.4KΩ → 余裕を持って3KΩとする。 《注意》 トランジスタでドライブする負荷が、 モータやリレーなどのコイルの時 には、逆起電力に注意する必要があります。 |deg| yfa| rts| ide| nlu| uxr| dyr| mry| ggs| hgn| rkt| rdy| qgp| rtm| qmr| dcx| utu| nsj| xxn| los| vpn| iiv| zku| ncx| wku| uzw| gdl| ogb| bic| qdj| dgg| amm| gea| ivy| tjf| ixa| kpi| iew| vbt| edc| sqh| gzq| dho| xps| viw| svg| gyw| mrp| ovy| zqk|