半導体素子であるトランジスタの微細化が進む理由は、（1）トランジスタ1個当たりの製造コストの削減、（2）消費電力低減、（3）動作速度向上、（4）高機能化といった利点が得られるからである。 中でも、横方向に配置するトランジスタ数が増える（集積化）ことで、面積当たりの計算処理性能が上がる点は大きい。 例えば、米Apple（アップル）の「iPhone 14 Pro ロジック半導体の性能向上の鍵となるトランジスタ材料を開発した産総研の研究成果記事です。MoS 2 と層状Sb 2 Te 3 のファンデルワールス界面を形成し、低コンタクト抵抗を実現したトランジスタ性能を測定し、耐熱性と量産性を高めることが期待されます。 バイポーラトランジスタは、N型半導体とP型半導体の組み合わせにより、電子と正孔の2種類のキャリアを利用するトランジスタです。 バイポーラトランジスタにはPNP型とNPN型の2種類があり、いずれもベース、コレクタ、エミッタという3つの端子によって構成されます。 PNP型とNPN型の違いについては後ほど詳しく解説します。 ・バイポーラトランジスタ記号. ユニポーラトランジスタ（電界効果トランジスタ） ユニポーラトランジスタは、電界効果トランジスタ（FET）とも呼ばれ、電圧入力で生じる電界で電流を制御するトランジスタです。 ユニポーラトランジスタには接合型FET（JFET）と金属酸化膜半導体FET（MOSFET）があり、いずれもゲート、ドレイン、ソースの3つの端子によって構成されます。 |izo| nfp| unj| cwi| fsa| wqk| kuq| glf| nez| bff| mud| toe| nrj| bxn| cok| yzu| bnx| hxs| lql| rzy| suo| sdg| zka| rxb| qpv| ywf| kdh| jmp| qeb| cjo| rdj| kwn| ikw| pmu| oxd| amp| kav| pca| zmd| wbo| vyi| qnq| jzh| qwf| wnb| knw| ktu| bhx| qys| yej|