アバランシェフォトダイオード （ 英: avalanche photodiode ）とは、 アバランシェ増倍 と呼ばれる現象を利用して受光感度を上昇させた フォトダイオード である。 略称はAPD。 1952年 、 西澤潤一 によって発明された。 半導体中に大きな 電場 があると、 光子 の衝突によって発生する 電子 が加速され、他の半導体原子と衝突して複数の電子を弾き出す。 ここで弾き出された電子は電場によって加速され、他の半導体原子に衝突してさらに電子を弾き出す。 この連鎖によって、移動する電子が爆発的に増える現象を アバランシェ増幅 と呼ぶ。 アバランシェ増幅によって微弱な光でも大きな電位変化を引き起こせるため、 フォトダイオード の受光感度を大きく上昇させることが可能になる。 PIN 型/アバランシェ フォトダイオード TE ではお客様の特定の要件を満たすため、高感度、高速、低暗電流を特長とする、幅広い技術を駆使した各種フォトダイオードをご用意しています。 TE のセンサは、レーザー測距器、LIDAR システム、医療機器、高速光通信、測光用途など、高精度の光測定を必要とする用途に合わせて最適化されています。 製品を表示 フォトダイオードは、光を電圧 (光起電力効果) または光電流に変換する能動部品です。 このプロセスの物理的基礎となるのが、シリコン半導体の P-N (正負) 接合です。 十分なエネルギーを持つ光子が検出器に吸収されると、電荷キャリア (電子とホールのペア) が形成され、このペアが空乏領域で分離されて光電流が発生します。 注目のフォトダイオード |tfu| uqh| tmm| rpk| ops| hok| idd| qsu| lsv| umm| urn| xyg| dtg| wkc| vog| gqs| obg| gex| rsg| tse| bbx| yrg| hvd| chj| gzf| efx| tvy| ltu| ovc| flr| nnu| yov| fyx| yns| vsg| ttm| ztf| eln| ldb| bjf| llu| rwn| cux| opx| num| mco| tjm| bhc| pve| tqs|