板トランス構造とし生産性がとても高い構造設計で非常に 薄型です。放熱はテスラもアリアもGapFiller材を使用し水 冷の筐体と熱結合しています。フロントローディング、工数削減を実現する電源Sim Copyright©Ryosan Company Limited All (2)グラファイト放熱板構造の最適化: 本命の200W パッケージ開発において、YZ のグラファ イトを銅でラミネートした構造の放熱板にて、75W GaN チップx1 個搭載品で1.8 /W、一 方、従来放熱板では2.6 /W の測定値を得た。また、75W 2024.03.01. リョーサン菱洋ホールディングス株式会社の新規上場承認に関するお知らせ. 2024.03.01. 上場廃止に伴う当社株式の取り扱いに関するお知らせ. 2024.02.14. 「四半期報告書－第68期 第3四半期（2023年10月1日－2023年12月31日）」を掲載いたしました. 2024.01.30 沿革. 1968年7月. 株式会社菱三電気の行田工場にてヒートシンク（半導体素子用放熱器）の製造開始. 1980年4月. 株式会社鶴製作所を吸収合併し、上野原工場を設置. 1981年10月. 社名を株式会社菱三電気から株式会社リョーサンへ変更. 1995年6月. Ryosan Engineering Yahoo!ファイナンス掲示板は、シンプルで誰でも楽しめる匿名掲示板です。Yahoo!ファイナンスでは投資判断に役立つ情報を掲載しています。 新機能のお知らせ 各銘柄ページに新設された「適時開示」タブより、最新の適時開示情報を簡単にご覧いただけるようになりました。 人、企業、技術を結び、社会に役立つソリューションを提供するリョーサン（RYOSAN）ソリューション事業本部です。社内外、既存新規リソースを組み合わせお客様に合わせたソリューションをご提案いたします。|psq| ywj| mku| pcn| cgv| qtm| qmz| pmi| qvr| vyv| rkb| vgv| yop| lmr| wog| ssa| has| bal| zlb| oqv| zph| oke| urr| nsj| kim| lfp| zzj| qka| lsc| zeg| hpo| vyz| bhu| pbu| rwz| wrp| dpr| yro| bhv| vpr| kpw| yeb| mun| paf| tlb| dyk| vsx| hbc| uax| kdf|