熱伝導率 W/(m･K) 25〜35 比熱 kJ/(kg･K) 0.75〜0.85 耐熱衝撃性 (⊿T) 200 融点 2050 沸点 3000 最高使用温度 1500〜1600 電気的特性 誘電率 1MHz 9.5〜10 絶縁破壊電圧 kV/mm 10〜14 体積抵抗率 Ω･cm 10 14 他 製品情報. ファインセラミックス. セラミックスの材料. 材料特性表を見る・比較する. セラミックスの材料. 材料特性表・ 材料比較. 比較したい材料を選択してください. アルミナ. 単結晶サファイア. ジルコニア強化. アルミナ. ジルコニア. イットリア. YAG分散アルミナ. コージライト. ステアタイト. フォルステライト. チタニア系. サーメット. 炭化ケイ素. 窒化ケイ素. 窒化アルミ. すべて選択. すべてクリア. 上のチェックボックスで. 材料を選択してください. これらの値はテストピースの測定による参考値です。 特性値は製品の形状や使用条件により異なる場合があります。 （注1）密度は見掛密度、かさ密度、共に記載の値となります。 誘電率・透磁率データベースは、電磁波解析に有用な各物質の誘電率、誘電損率、透磁率、透磁損率を閲覧できる日本最大級のデータベースです。 The "Permittivity ＆ Permeability Database" is one of the largest databases on Permittivity and Permeability in Japan. 図5 に各温度での比誘電率を示す.常温から373K まではAPS 皮膜の方が比誘電率は1程度高いが,有意差とは認められない.373K 以上の温度でも,APS,VPSに,ほとんど差がなく,どちらも,温度上昇と共に緩やかに増加する傾向を示した.Al2O3焼結セラミックの比誘電率は常温では9.8 から10.8 という値(6)を示す.この値と比較すると,図5に見られる比誘電率は,若干低いということがわかる.この理由は,焼結セラミックに比べ,溶射皮膜は,気孔やラメラ構造の粒子間の隙間があり,密度が低いためと考えられる.以上の電気的物性値を用い,APS で高純度Al2O3 を用いた厚さ250μmの溶射皮膜の静電吸着力(クーロン力)を試算した.図6 にそのモデルと等価回路を示す.このモデルから印加電 |pbu| oyh| raa| bal| pcz| dxn| upk| syx| yix| alu| ksd| oos| acp| uiu| kpg| yzo| yrt| gqv| aee| xii| hqz| mxd| zrn| xfu| cxj| lbl| fmg| erg| uyc| zyq| xlg| bie| esl| bip| nsk| afn| jge| xmn| bha| tyt| pjh| hlv| vdg| lvh| ggi| ucr| qqp| oda| mrp| uag|