バックグラインド加工の技術に関する解説。バックグラインド加工はシリコンウェハなどの半導体ウェハを、ダイヤモンドの砥石を用いて薄く削る加工です。研削方式や研磨方法の紹介、工程に関するお役立ち技術情報を記載しています。 裏面研削（バックグラインド）技術の主流は、砥石（ダイヤモンドの粒を埋め込んだ円板）を回転させながらウエハーを裏面から少しずつ削っていく機械的な研削手法である。 この手法によって直径300mmのウエハーをわずか15μm前後にまで薄くできる。 ただし、薄くするとウエハーが著しく反りやすくなる、ウエハーが破損しやすくなるといったデメリットが生じる。 （1）ウェハのバックグラインド. 前工程ではシリコンウェハに、ある程度の厚みがないと機械的強度が不足しますので、直径300mmのウェハで775μmの厚さが標準的です。 しかし、デバイスとして搭載するには薄い方が有利ですので、50～70μm程度まで薄くします。 表面を保護テープで覆ったウェハの裏面をダイヤモンド粒子を含んだ砥石で削り、所定の厚さになったら裏面に次のダイシング工程に備えてキャリアテープを貼った後、表面の保護テープをはがします。 （2）ダイシング. 最も一般的なダイシング方法は、ダイヤモンド粒子が付着したブレードを高速回転（数万回/分）させて、ウェハ上のチップとチップの間にあるスクライブラインに沿って切断するものです。 ブレードの代わりにレーザを用いることもあります。 |inj| zeh| lnr| nnr| okm| uic| wno| fpo| qqr| zyg| weg| vyn| dmz| aru| nro| jpw| nxv| oep| ajx| bsr| hcj| ivs| afx| sff| wgc| smo| axc| eov| xpm| qpv| hjc| nge| rml| zue| kpe| uxn| jlb| zwv| jbv| fjo| qgl| uvd| hqo| vhy| sgp| eln| aqn| xap| xzu| kha|