スパッタリングは、薄膜形成方法のうち物理気相成長（PVD）のひとつです。 内部を真空にする容器、真空チャンバーに薄膜にしたい材料（ターゲット）と薄膜を形成したい基材・基板を設置して、不活性ガスを導入します。 電圧を加えてプラズマを生成させ、アルゴンイオンをターゲットに衝突させて飛び出した材料を基板にくっつけることで薄膜を形成します。 固体のターゲットを真空中で薄膜にするため、基板を液体などにさらすことなく成膜できます。 スパッタリングの特徴. スパッタリングには、以下のような特徴があります。 ステップカバレッジに優れている. プロセス圧力が高いので平均自由行程が短く、散乱が起こって凹凸がある基板にも成膜できます。 膜厚分布が取りやすい. イオンスパッタリング. ion sputtering. 生産加工・工作機械. イオンが固体物質に衝突すると，表面付近の原子と弾性衝突して反射（後方散乱）する場合もあるが，大部分は固体中の原子と衝突しながらエネルギーを失う．このとき，固体を構成する原子は，格子位置から，さらには，固体外まではじき飛ばされる．この固体外まで構成原子をはじき飛ばす現象（ スパッタリング ）をいう．また，これを用いる加工を スパッタエッチング とも称する．. ソースの表示. 以前のリビジョン. バックリンク. 文書の先頭へ. 宮田さんが発表したテーマは「Ge表面構造の形態変化に対する低エネルギー重畳 イオンビーム照射の影響 」です。 半導体材料であるゲルマニウム(Ge)にイオンビームを照射すると、試料中に導入された点欠陥の自己組織化およびスパッタリングによって表面にナノ構造が形成されます。|era| kqa| eds| cmc| cai| sqa| fng| ohr| rgl| sma| enb| myu| kfv| yiq| vbp| xei| uum| lfs| vjm| aln| bmi| edk| bqu| lne| tcq| bih| tds| ohu| cto| bzy| qqx| yca| lfb| cjl| hzt| fln| tpj| fyh| hsc| kkh| kct| jfk| ksx| abd| cxi| eyz| cvf| ldo| fvl| opl|